对比图
描述 N沟道 55V 75ASTMICROELECTRONICS STB150NF55T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 55 V, 5 mohm, 10 V, 4 V
数据手册 --
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-252-3 TO-263-3
额定电压(DC) - 55.0 V
额定电流 - 120 A
通道数 - 1
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 5 mΩ
极性 N-Channel N-Channel
耗散功率 230 W 300 W
阈值电压 - 4 V
输入电容 - 4400 pF
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V
漏源击穿电压 - 55 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 75.0 A 60.0 A
上升时间 - 180 ns
输入电容(Ciss) 4780pF @25V(Vds) 4400pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 230 W 300 W
下降时间 - 80 ns
工作温度(Max) - 175 ℃
工作温度(Min) - 55 ℃
耗散功率(Max) - 300W (Tc)
产品系列 IRF1405ZS -
长度 - 10.4 mm
宽度 - 9.35 mm
高度 - 4.6 mm
封装 TO-252-3 TO-263-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99