IRFR210PBF和IRFR220PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR210PBF IRFR220PBF IRFR220NPBF

描述 VISHAY  IRFR210PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 2.6 A, 200 V, 1.5 ohm, 10 V, 4 VVISHAY  IRFR220PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.8 A, 200 V, 800 mohm, 10 V, 4 VINFINEON  IRFR220NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 5 A, 200 V, 600 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252 TO-252 TO-252-3

额定电压(DC) 200 V 200 V -

额定电流 2.60 A 4.80 A -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 1.5 Ω 0.8 Ω 0.6 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 25 W 42 W 43 W

阈值电压 4 V 4 V 4 V

输入电容 140pF @25V 260pF @25V 300 pF

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

漏源击穿电压 200 V 200 V -

连续漏极电流(Ids) 2.60 A 4.80 A 5A

上升时间 17 ns 22 ns 11 ns

下降时间 8.9 ns 13 ns 12 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

额定功率 - - 43 W

输入电容(Ciss) - 260pF @25V(Vds) 300pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 43 W

耗散功率(Max) - 2.5 W 43W (Tc)

长度 6.73 mm 6.73 mm 6.73 mm

高度 2.38 mm 2.39 mm 2.39 mm

封装 TO-252 TO-252 TO-252-3

宽度 - 6.22 mm 6.22 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

包装方式 Tube Tube Tube

产品生命周期 - - Active

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台