BD1386S和BD1386STU

对比图

型号 BD1386S BD1386STU BD138G

描述 Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 3Pin(3+Tab) TO-126 BulkTrans GP BJT PNP 60V 1.5A 3Pin(3+Tab) TO-126 RailON SEMICONDUCTOR  BD138G  Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 60 V, 12.5 W, 1.5 A, 25 hFE 新

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

引脚数 - - 3

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V

额定功率(Max) 1.25 W 1.25 W 1.25 W

极性 PNP - PNP

集电极最大允许电流 1.5A - 1.5A

额定电压(DC) - - -60.0 V

额定电流 - - -1.50 A

针脚数 - - 3

耗散功率 - - 12.5 W

直流电流增益(hFE) - - 25

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率(Max) - - 1250 mW

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 - - Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99