对比图
型号 IPB080N06NG NP80N06PLG-E1B-AY IPB77N06S3-09
描述 OptiMOS㈢功率三极管 OptiMOS㈢ Power-TransistorMOS场效应 MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-Transistor
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Renesas Electronics (瑞萨电子) Infineon (英飞凌)
分类 晶体管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-263 TO-263-3 TO-263-3-2
引脚数 - - 3
耗散功率 - 1.8W (Ta), 115W (Tc) 107 W
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 55 V
输入电容(Ciss) 3500pF @30V(Vds) 6900pF @25V(Vds) 5335pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) - 1.8W (Ta), 115W (Tc) 107W (Tc)
额定电压(DC) 60.0 V - 55.0 V
额定电流 80.0 A - 77.0 A
极性 - - N-CH
输入电容 3.50 nF - 5.34 nF
栅电荷 93.0 nC - 103 nC
连续漏极电流(Ids) 80.0 A - 77.0 A
上升时间 - - 51 ns
下降时间 - - 51 ns
工作温度(Max) - - 175 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
额定功率(Max) 214 W - -
封装 TO-263 TO-263-3 TO-263-3-2
长度 - - 10 mm
宽度 - - 9.25 mm
高度 - - 4.4 mm
工作温度 - 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete End of Life Obsolete
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free