BUK763R1-40B和STB100NF04T4的区别_BUK763R1-40B代替型号-锐单商城

对比图 P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUK763R1-40B STB100NF04T4 BUK7604-40A

描述 D2PAK N-CH 40V 75ASTMICROELECTRONICS STB100NF04T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 40 V, 0.0043 ohm, 10 V, 2 V的TrenchMOS标准水平FET TrenchMOS standard level FET

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦)

分类 MOS管

基础参数对比

封装 D2PAK TO-263-3 D2PAK

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 3 -

极性 N-CH N-Channel N-CH

漏源极电压(Vds) 40 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 75A 120 A 198A

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.0043 Ω -

耗散功率 - 300 W -

阈值电压 - 2 V -

漏源击穿电压 - 40.0 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

上升时间 - 220 ns -

输入电容(Ciss) - 5100pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 300 W -

下降时间 - 50 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 300000 mW -

封装 D2PAK TO-263-3 D2PAK

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 9.35 mm -

高度 - 4.6 mm -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -