BSS84AK和BZX84-B22,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSS84AK BZX84-B22,215 BSS84

描述 NXP  BSS84AK  晶体管, MOSFET, P沟道, -180 mA, -50 V, 4.5 ohm, -10 V, -1.6 VNXP  BZX84-B22,215  单管二极管 齐纳, 22 V, 250 mW, SOT-23, 2 %, 3 引脚, 150 °CFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BSS84  晶体管, MOSFET, P沟道, -130 mA, -50 V, 1.2 ohm, -5 V, -1.7 V

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管齐纳二极管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3

容差 - ±2 % -

针脚数 3 3 3

正向电压 - 900mV @10mA -

极性 P-Channel P-Channel P-Channel

耗散功率 350 mW 250 mW 360 mW

测试电流 - 5 mA -

稳压值 - 22 V -

正向电压(Max) - 900mV @10mA -

额定功率(Max) - 250 mW 360 mW

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) 0.42 W 250 mW 360mW (Ta)

漏源极电阻 4.5 Ω - 1.2 Ω

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

额定电压(DC) - - -50.0 V

额定电流 - - -130 mA

额定功率 - - 360 mW

输入电容 - - 73.0 pF

栅电荷 - - 1.30 nC

漏源极电压(Vds) - - 50 V

漏源击穿电压 - - -50.0 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) - - 130 mA

上升时间 - - 6.3 ns

输入电容(Ciss) - - 73pF @25V(Vds)

下降时间 - - 4.8 ns

封装 SOT-23 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 3 mm - 2.92 mm

宽度 1.4 mm - 1.3 mm

高度 1 mm - 0.93 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃

温度系数 - 18.4 mV/K -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15

香港进出口证 NLR - -

ECCN代码 - - EAR99

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