对比图
描述 N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO- 220 / TO- 220FP MESH合成] MOSFET N - CHANNEL 200V - 0.150ohm - 18A TO-220/TO-220FP MESH OVERLAY] MOSFETTO-220AB N-CH 200V 18AN CHANNEL JUNCTION TYPE (GENERAL PURPOSE AND IMPEDANCE CONVERTER AND CONDENSER MICROPHONE APPLICATIONS)
数据手册 ---
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌) Toshiba (东芝)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole -
引脚数 3 3 -
封装 TO-220-3 TO-220 -
额定电压(DC) 200 V 200 V -
额定电流 18.0 A 18.0 A -
漏源极电阻 180 mΩ 150 mΩ (max) -
极性 N-Channel N-CH -
耗散功率 125W (Tc) - -
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V -
漏源击穿电压 200 V 200V (min) -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 18.0 A 18.0 A -
上升时间 27 ns 19 ns -
输入电容(Ciss) 1560pF @25V(Vds) 1160pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) 125 W - -
下降时间 25 ns 5.5 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 125W (Tc) 150000 mW -
产品系列 - IRF640N -
封装 TO-220-3 TO-220 -
工作温度 150℃ (TJ) - -
材质 - Silicon -
产品生命周期 Unknown Active Obsolete
包装方式 Tube Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead -