STP3NB100和STP60NF06

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STP3NB100 STP60NF06 SPP04N80C3

描述 N - CHANNEL 1000V - 5.3欧姆 - 3 A - TO- 220 / TO- 220FP的PowerMESH MOSFET N - CHANNEL 1000V - 5.3 ohm - 3 A - TO-220/TO-220FP PowerMESH MOSFETSTMICROELECTRONICS  STP60NF06  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 10 V, 2 VInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) 1.00 kV 60.0 V 800 V

额定电流 3.00 A 60.0 A 4.00 A

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 100W (Tc) 110 W 63 W

漏源极电压(Vds) 1000 V 60 V 800 V

连续漏极电流(Ids) 3.00 A 60.0 A 4.00 A

上升时间 12.0 ns 108 ns 15 ns

输入电容(Ciss) 700pF @25V(Vds) 1660pF @25V(Vds) 570pF @100V(Vds)

耗散功率(Max) 100W (Tc) 110W (Tc) 63W (Tc)

额定功率 - - 63 W

通道数 - 1 1

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.016 Ω 1.1 Ω

阈值电压 - 2 V 3 V

漏源击穿电压 - 60.0 V 800 V

额定功率(Max) - 110 W 63 W

下降时间 - 20 ns 12 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10.4 mm 10 mm

宽度 - 4.6 mm 4.4 mm

高度 - 9.15 mm 15.65 mm

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -

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