对比图
型号 IRF9910 IRF9910TRPBF IRF9910PBF
描述 SOIC N-CH 20V 10A/12AN沟道 20 V 2 W 7.4/15 nC 功率Mosfet 表面贴装 - SOIC-8Trans MOSFET N-CH 20V 10A/12A 8Pin SOIC Tube
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) International Rectifier (国际整流器)
分类 晶体管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定功率 - 2 W -
漏源极电阻 - 0.0183 Ω -
极性 N-CH Dual N-Channel Dual N-Channel
耗散功率 - 2 W 2 W
阈值电压 - 2.55 V -
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
连续漏极电流(Ids) 10A/12A 10A/12A 12.0 A
输入电容(Ciss) 900pF @10V(Vds) 900pF @10V(Vds) 900pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 2 W 2 W 2 W
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 2000 mW -
额定电压(DC) - - 20.0 V
额定电流 - - 10.0 A
产品系列 - - IRF9910
上升时间 - - 14.0 ns
长度 - 5 mm -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free