对比图
型号 IPI60R099CPA IPI65R110CFDXKSA1 STB36NM60N
描述 的CoolMOS功率晶体管 CoolMOS Power TransistorTO-262 N-CH 700V 31.2ASTB36NM60N 系列 600 V 105 mOhm N 沟道 MDmesh™ II 功率 Mosfet - D2PAK-3
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-263-3
额定功率 - 277.8 W -
极性 N-CH N-CH N-CH
耗散功率 - 277.8W (Tc) 210 W
漏源极电压(Vds) 600 V 650 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 31A 31.2A 29A
上升时间 5 ns 11 ns 34 ns
输入电容(Ciss) 2800pF @100V(Vds) 3240pF @100V(Vds) 2722pF @100V(Vds)
下降时间 5 ns 6 ns 67 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 277.8W (Tc) 210W (Tc)
通道数 1 - -
额定功率(Max) 255 W - 210 W
长度 10.2 mm 10.2 mm -
宽度 4.5 mm 4.5 mm -
高度 9.45 mm 9.45 mm -
封装 TO-262-3 TO-262-3 TO-263-3
工作温度 -40℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free