对比图
型号 ZVN2120GTA ZVN2120GTC BSP126,115
描述 ZVN2120GTA 编带MOSFET Power N-Chnl 200VNXP BSP126,115 晶体管, MOSFET, N沟道, 300 mA, 250 V, 2.8 ohm, 10 V, 2 V
数据手册 ---
制造商 Diodes (美台) Diodes (美台) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 4 - 3
封装 TO-261-4 SOT-223 TO-261-4
额定电压(DC) 200 V - -
额定电流 320 mA - -
漏源极电阻 10 Ω - 2.8 Ω
极性 N-Channel - N-Channel
耗散功率 2 W - 1.5 W
阈值电压 1 V - 2 V
漏源极电压(Vds) 200 V - 250 V
漏源击穿电压 200 V - -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 320 mA - 375 mA
上升时间 8 ns - -
输入电容(Ciss) 85pF @25V(Vds) - 120pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2 W - 1.5 W
下降时间 12 ns - -
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 2W (Ta) - 1.5W (Ta)
针脚数 - - 3
封装 TO-261-4 SOT-223 TO-261-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tape & Reel (TR) - Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17