2N3055G和JAN2N3055

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N3055G JAN2N3055 2N3055

描述 ON SEMICONDUCTOR  2N3055G  双极晶体管NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORMULTICOMP  2N3055  单晶体管 双极, 通用, NPN, 60 V, 800 kHz, 115 W, 15 A, 5 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Microsemi (美高森美) Multicomp

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-204-2 TO-3 TO-204

频率 2.5 MHz - -

额定电压(DC) 60.0 V - -

额定电流 15.0 A - -

针脚数 3 - 3

极性 NPN - NPN

耗散功率 115 W 6 W 115 W

增益频宽积 2.5 MHz - -

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 70 V 60.0 V

热阻 1.52℃/W (RθJC) - -

集电极最大允许电流 15A - -

最小电流放大倍数(hFE) 20 20 @4A, 4V -

最大电流放大倍数(hFE) 70 - -

额定功率(Max) 115 W 6 W -

直流电流增益(hFE) 70 - 5

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -

耗散功率(Max) 115 W 6000 mW -

长度 39.37 mm - -

宽度 26.67 mm - -

高度 8.51 mm - -

封装 TO-204-2 TO-3 TO-204

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active -

包装方式 Tray Tray -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

ECCN代码 EAR99 - -

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