对比图
型号 BC847CLT1G SBC847CLT1G BCW71,215
描述 ON SEMICONDUCTOR BC847CLT1G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 300 mW, 100 mA, 100 hFENPN 晶体管，ON Semiconductor这些 ON Semiconductor 双极晶体管可放大模拟或数字信号。 它们还可切换直流或用作振荡器。 ### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管NXP BCW71,215 单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 100 MHz, 250 mW, 100 mA, 90 hFE
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) NXP (恩智浦)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
频率 100 MHz 100 MHz 100 MHz
额定电压(DC) 45.0 V - -
额定电流 100 mA - -
额定功率 300 mW - -
无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -
针脚数 3 3 3
极性 NPN NPN NPN
耗散功率 300 mW 0.3 W 250 mW
增益频宽积 100 MHz - -
击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V
集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A
最小电流放大倍数(hFE) 420 420 @2mA, 5V 110 @2mA, 5V
额定功率(Max) 300 mW 300 mW 250 mW
直流电流增益(hFE) 420 420 90
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 300 mW 300 mW 250 mW
长度 2.9 mm 3.04 mm -
宽度 1.3 mm 1.4 mm -
高度 0.94 mm 1.01 mm -
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
材质 Silicon Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 -