对比图
型号 FQB50N06TM STB55NF06T4 PSMN004-60B,118
描述 QFET® N 通道 MOSFET，超过 31A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsD2PAK N-CH 60V 75A
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V -
额定电流 50.0 A 50.0 A -
通道数 1 1 -
漏源极电阻 22 mΩ 0.015 Ω 0.0031 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 3.75 W 110 W 230 W
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
漏源击穿电压 60 V 60.0 V -
栅源击穿电压 ±25.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 50.0 A 50.0 A 75.0 A
上升时间 105 ns 50 ns -
输入电容(Ciss) 1540pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) 8300pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 3.75 W 110 W 230 W
下降时间 65 ns 15 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 3.75W (Ta), 120W (Tc) 110W (Tc) 230W (Tc)
阈值电压 - 3 V 3 V
针脚数 - 3 -
长度 10.67 mm 10.4 mm -
宽度 9.65 mm 9.35 mm -
高度 4.83 mm 4.6 mm 4.5 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
REACH SVHC标准 - No SVHC -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -