BSP50和BSP50,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSP50 BSP50,115 BC337-40ZL1G

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  BSP50  单晶体管 双极, NPN, 45 V, 200 MHz, 1 W, 800 mA, 1000 hFENXP  BSP50,115  单晶体管 双极, 达林顿, NPN, 45 V, 200 MHz, 1.25 W, 1 A, 2000 hFEON SEMICONDUCTOR  BC337-40ZL1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 210 MHz, 625 mW, 800 mA, 250 hFE

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 4 3 3

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-226-3

针脚数 4 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 1 W 1.25 W 625 mW

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 - 1A 0.8A

最小电流放大倍数(hFE) 1000 2000 @500mA, 10V 250 @100mA, 1V

最大电流放大倍数(hFE) - 1000 -

额定功率(Max) 1 W 1.25 W 625 mW

直流电流增益(hFE) 1000 2000 250

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

增益带宽 - 200 MHz -

耗散功率(Max) 1 W 1250 mW 625 mW

频率 - - 210 MHz

额定电压(DC) 45.0 V - 45.0 V

额定电流 800 mA - 800 mA

额定功率 1 W - -

长度 6.5 mm 6.7 mm 5.2 mm

宽度 3.56 mm 3.7 mm 4.19 mm

高度 1.6 mm 1.7 mm 5.33 mm

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-226-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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