对比图
型号 LBC856BLT1G LBC856BWT1G BC856BRFG
描述 LBC856BLT1G三极管(晶体管) LBC856BWT1G SC-70(SOT-323) PNP Vceo=-65V Ic=-100mA HFE=220-475250mW, PNP Small Signal Transistor
数据手册 ---
制造商 Leshan Radio (乐山无线电) Leshan Radio (乐山无线电) Taiwan Semiconductor (台湾半导体)
分类
封装 SOT-23-3 SC-70 -
安装方式 - Surface Mount -
极性 PNP PNP -
击穿电压(集电极-发射极) 65 V 65 V -
集电极最大允许电流 100mA 100mA -
最小电流放大倍数(hFE) 220 220 -
最大电流放大倍数(hFE) 475 475 -
额定功率 - 0.15 W -
封装 SOT-23-3 SC-70 -
产品生命周期 Unknown Unknown Active
最小包装 3000 3000 -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -