BF493SG和MMBTA92-TP

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BF493SG MMBTA92-TP SMMBTA92LT3G

描述 高压晶体管PNP硅 High Voltage Transistor PNP SiliconMMBTA92 系列 300 V 300 mA PNP 硅 高压 晶体管 - SOT-23-3高电压晶体管,ON Semiconductor### 标准带 S 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Micro Commercial Components (美微科) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 SOT-23-3 SOT-23-3

频率 50 MHz 50 MHz 50 MHz

额定电压(DC) -350 V -300 V -

额定电流 -500 mA -300 mA -

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 625 mW 300 mW 0.3 W

击穿电压(集电极-发射极) 350 V 300 V 300 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.3A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 40 @10mA, 10V 100 @10mA, 10V 25 @30mA, 10V

额定功率(Max) 625 mW 300 mW 300 mW

直流电流增益(hFE) - 60 -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 300 mW 300 mW

高度 - 1.12 mm 0.94 mm

封装 TO-226-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 - - 3.04 mm

宽度 - - 2.64 mm

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - EAR99

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