BUK7514-60E和IRFZ44VZPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BUK7514-60E IRFZ44VZPBF STP65NF06

描述 NXP  BUK7514-60E  晶体管, MOSFET, N沟道, 58 A, 60 V, 0.0096 ohm, 10 V, 3 VINTERNATIONAL RECTIFIER  IRFZ44VZPBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 57A TO-220ABSTMICROELECTRONICS  STP65NF06  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 60 V, 11.5 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) - 60.0 V 60.0 V

额定电流 - 57.0 A 60.0 A

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.0096 Ω 12 mΩ 0.0115 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 96 W 92 W 110 W

产品系列 - IRFZ44VZ -

阈值电压 3 V 4 V 4 V

输入电容 - 1690pF @25V 1.70 nF

栅电荷 - 65.0 nC 75.0 nC

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 - 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 58A 57.0 A 30.0 A

上升时间 - 62.0 ns 60 ns

输入电容(Ciss) - 1690pF @25V(Vds) 1700pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 92 W 110 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

通道数 - - 1

下降时间 - - 16 ns

耗散功率(Max) - - 110W (Tc)

长度 - 10.66 mm 10.4 mm

高度 - 16.51 mm 15.75 mm

封装 TO-220 TO-220-3 TO-220-3

宽度 - - 4.6 mm

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 - Rail, Tube Tube

RoHS标准 Exempt RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

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