BCR189和BCR583

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCR189 BCR583 PDTB114ET

描述 PNP硅晶体管数字 PNP Silicon Digital TransistorPNP硅晶体管数字 PNP Silicon Digital TransistorPNP电阻配备晶体管 PNP resistor-equipped transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)

分类

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - - 3

封装 SOT-23 SOT-23 TO-236

极性 PNP PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 500mA 500mA

封装 SOT-23 SOT-23 TO-236

产品生命周期 Obsolete End of Life Unknown

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

含铅标准 - Lead Free -

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台