对比图
型号 ZVN2110GTA BSP122,115 ZVN2110G
描述 ZVN2110G 系列 100 V 4 Ohm N 沟道 增强模式 垂直 DMOS FET-SOT-223NXP BSP122,115 晶体管, MOSFET, N沟道, 750 mA, 200 V, 1.7 ohm, 10 V, 2 V晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 100 V, 4 ohm, 10 V, 2.4 V
数据手册 ---
制造商 Diodes (美台) NXP (恩智浦) Diodes (美台)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount -
引脚数 4 3 -
封装 TO-261-4 TO-261-4 SOT-223
针脚数 - 3 3
漏源极电阻 4.00 Ω 1.7 Ω 4 Ω
极性 N-Channel N-Channel -
耗散功率 2 W 1.5 W 2 W
阈值电压 - 2 V 2.4 V
漏源极电压(Vds) 100 V 200 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 500 mA 550 mA -
输入电容(Ciss) 75pF @25V(Vds) 100pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) 2 W 1.5 W -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 2000 mW 1.5W (Ta) -
额定电压(DC) 100 V - -
额定电流 500 mA - -
漏源击穿电压 100 V - -
栅源击穿电压 ±20.0 V - -
上升时间 4 ns - -
下降时间 8 ns - -
长度 6.7 mm 6.7 mm -
宽度 3.7 mm 3.7 mm -
高度 1.65 mm 1.7 mm -
封装 TO-261-4 TO-261-4 SOT-223
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 - -