对比图
型号 FDD050N03B FQD12P10TM_F085 FDD86102
描述 PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。Trans MOSFET P-CH 100V 9.4A Automotive 3Pin(2+Tab) DPAK T/RPowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
针脚数 - - 3
漏源极电阻 5.2 mΩ - 0.019 Ω
耗散功率 65 W 2.5 W 3.1 W
阈值电压 - - 3.1 V
漏源极电压(Vds) 30 V 100 V 100 V
上升时间 4.5 ns - 3 ns
输入电容(Ciss) 2875pF @15V(Vds) 800pF @25V(Vds) 780pF @50V(Vds)
额定功率(Max) 65 W 2.5 W 3.1 W
下降时间 4.5 ns - 2.9 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 65W (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 62 W
通道数 1 1 -
极性 N-CH P-CH -
漏源击穿电压 30 V - -
连续漏极电流(Ids) 90A 9.4A -
长度 6.73 mm - 6.73 mm
宽度 6.22 mm 6.22 mm 6.22 mm
高度 2.39 mm 2.3 mm 2.39 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
材质 - - Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free