2N3057A和JANTX2N1890

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N3057A JANTX2N1890 JANTX2N3057A

描述 低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTORNPN小功率硅晶体管 NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR低功率NPN硅晶体管 LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-46-3 TO-5 TO-206

耗散功率 500 mW - -

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 60 V 80 V

最小电流放大倍数(hFE) 50 @500mA, 10V - 50 @500mA, 10V

额定功率(Max) 500 mW - 500 mW

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 500 mW 800 mW 500 mW

极性 - NPN -

集电极最大允许电流 - 0.5A -

封装 TO-46-3 TO-5 TO-206

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) - -65℃ ~ 200℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Bag Bag

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - Contains Lead

ECCN代码 EAR99 - -

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