M29F800DB70N6E和M29F800DB70N6T

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 M29F800DB70N6E M29F800DB70N6T MX29F800CBTI-70G

描述 8兆位(1MB X8或X16 512KB ,引导块) 5V电源快闪记忆体 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 5V Supply Flash Memory8兆位(1MB X8或X16 512KB ,引导块) 5V电源快闪记忆体 8 Mbit (1Mb x8 or 512Kb x16, Boot Block) 5V Supply Flash MemoryNOR 闪存Macronix 从 2 M 位密度提供 3 V 延长线路和 5 V 工业标准并行 NOR 闪存产品。 这些产品具有 Boot and Uniform Sector 体系结构,提供 x8、x16 和 x8/x16 可选配置。 在 3 V 产品线路中,MX29LV 系列提供标准读取访问权限,且 MX29GL 和 MX68GL 系列提供页模式访问权限。### 闪存,Macronix

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Macronix International (旺宏电子)

分类 Flash芯片存储芯片Flash芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

封装 TSOP-48 TSOP-48 TSOP-48

引脚数 - - 48

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压(Max) 5.5 V - -

电源电压(Min) 4.5 V - -

供电电流 - - 50 mA

位数 - - 8, 16

存取时间 - 70.0 ns 70 ns

存取时间(Max) - - 70 ns

电源电压 - - 4.5V ~ 5.5V

内存容量 - 8000000 B -

封装 TSOP-48 TSOP-48 TSOP-48

长度 - - 18.5 mm

宽度 - - 12.1 mm

高度 - - 1.05 mm

工作温度 40℃ ~ 85℃ - -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tray Bulk Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - - Lead Free

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