JDP2S04E和BAP50-02T/R

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JDP2S04E BAP50-02T/R BAP50-02,115

描述 JDP2S04E PIN二极管 50V 50mA SOD-523/ESC/0603 marking/标记 TG 射频衰减器DIODE SILICON, PIN DIODE, PLASTIC, SC-79, 2Pin, PIN DiodeNXP  BAP50-02,115  射频二极管, PIN型, 0.55pF, 50V, SOD-523

数据手册 ---

制造商 Toshiba (东芝) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 二极管RF二极管

基础参数对比

封装 SOD-523 SOD-523 SOD-523

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - - 2

封装 SOD-523 SOD-523 SOD-523

长度 - - 1.25 mm

宽度 - - 0.85 mm

高度 - - 0.65 mm

产品生命周期 Obsolete Unknown Active

包装方式 - Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

额定电压(DC) - 50.0 V -

额定电流 - 50.0 mA -

电容 - 550 fF 0.35 pF

输出电流 - ≤50.0 mA -

电阻 - 40.0 Ω -

正向电流(Max) - 50 mA 50 mA

正向电压 - - 1.1 V

耗散功率 - - 0.715 W

正向电流 - - 50 mA

击穿电压 - - 50 V

正向电压(Max) - - 1.1 V

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -65 ℃

耗散功率(Max) - - 715 mW

额定电压 - - 50 V

工作温度 - - -65℃ ~ 150℃ (TJ)

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