JDP2S04E

JDP2S04E图片1
JDP2S04E概述

JDP2S04E PIN二极管 50V 50mA SOD-523/ESC/0603 marking/标记 TG 射频衰减器

反向电压VRReverse Voltage| 50V \---|--- 平均正向整流电流IFForward CurrentIf| 50mA 二极管电容值CTDiode capacitance| 0.25pF 最大耗散功率PdPower dissipation| Description & Applications| VHF~UHF Band RF Attenuator Applications • Suitable for reducing set’s size as a result from enabling high-density mounting due to 2-pin small packages. • Low capacitance ratio: CT = 0.25 pF typ. • Low series resistance: rs = 3 Ω typ. 描述与应用| VHF〜UHF频段射频衰减器应用 •适用于减少的结果集的大小,使高密度 安装2针的小包装。 •低电容比:CT= 0.25 PF(典型值) •低串联电阻:rs= 3Ω(典型值)


Chip1Stop:
Diode PIN Attenuator 50V 2-Pin ESC


Win Source:
VHF~UHF Band RF Attenuator Applications


JDP2S04E中文资料参数规格
封装参数

封装 SOD-523

外形尺寸

封装 SOD-523

其他

反向电压VRReverse Voltage 50V

平均正向整流电流IFForward CurrentIf 50mA

二极管电容值CTDiode capacitance 0.25pF

规格书PDF __

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买JDP2S04E
型号: JDP2S04E
制造商: Toshiba 东芝
描述:JDP2S04E PIN二极管 50V 50mA SOD-523/ESC/0603 marking/标记 TG 射频衰减器
替代型号JDP2S04E
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

JDP2S04E

Toshiba 东芝

当前型号

当前型号

BAP50-02,115

恩智浦

功能相似

JDP2S04E和BAP50-02,115的区别

BAP50-02T/R

恩智浦

功能相似

JDP2S04E和BAP50-02T/R的区别

BAP50-03

美微科

功能相似

JDP2S04E和BAP50-03的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台