对比图
型号 SST201-T1-E3 PMBF4392,215 PMBF4393,215
描述 VISHAY SST201-T1-E3 JFET Transistor, JFET, -40V, 200A, 1mA, -1.5V, TO-236, JFETPMBF4392 系列 对称 硅 N 沟道 场效应晶体管 - SOT-23N 通道 JFET，NXP### JFET 晶体管一系列 JFET（接线场效应晶体管）和 HEMT/HFET（高电子迁移率晶体管/异质结 FET）分立半导体设备。
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)
分类 JFET晶体管JFET晶体管JFET晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
耗散功率 350 mW 250 mW 250 mW
漏源极电压(Vds) - 40 V 40 V
击穿电压 40 V 40 V 40 V
输入电容(Ciss) 4.5pF @15V(Vds) 14pF @20V(Vds) 14pF @20V(Vds)
额定功率(Max) 350 mW 250 mW 250 mW
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) - 250 mW 250 mW
击穿电压 -40.0 V - 40.0 V
极性 N-Channel - -
漏源击穿电压 -300 mV - -
栅源击穿电压 -1.50 V - -
连续漏极电流(Ids) 1.00 mA - -
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 100 Ω
长度 - 3 mm 3 mm
宽度 - 1.4 mm 1.4 mm
高度 - 1 mm 1 mm
封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
材质 - - Silicon
产品生命周期 End of Life Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17