STP100NF04和STP55NF06

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STP100NF04 STP55NF06 IRF1104PBF

描述 N 通道 STripFET™,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronicsMOSFET 晶体管,STMicroelectronicsINTERNATIONAL RECTIFIER  IRF1104PBF  场效应管, N 通道, MOSFET, 40V, 100A, TO-220AB 新

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 40.0 V 60.0 V 40.0 V

额定电流 120 A 50.0 A 100 A

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.0046 Ω 0.015 Ω 9 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 300 W 30 W 170 W

产品系列 - - IRF1104

阈值电压 4 V 3 V 4 V

输入电容 - - 2900pF @25V

漏源极电压(Vds) 40 V 60 V 40 V

漏源击穿电压 40 V 60.0 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 120 A 50.0 A 100 A

输入电容(Ciss) 5100pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) 2900pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 300 W 110 W 170 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

额定功率 - 110 W -

通道数 1 1 -

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -

上升时间 220 ns 50 ns -

下降时间 50 ns 15 ns -

耗散功率(Max) 300000 mW 110W (Tc) -

长度 10.4 mm 10.4 mm 10.54 mm

高度 9.15 mm 9.15 mm 15.24 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

宽度 4.6 mm 4.6 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 - -

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