IRGB4060DPBF和STGP14NC60KD

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRGB4060DPBF STGP14NC60KD STGPL6NC60DI

描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 16A 99000mW 3Pin(3+Tab) TO-220AB TubeSTMICROELECTRONICS  STGP14NC60KD  单晶体管, IGBT, 25 A, 2.5 V, 80 W, 600 V, TO-220, 3 引脚STGP8NC60K 系列 N 沟道 600V 8 A 额定短路电流 PowerMESH IGBT - TO-220

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

耗散功率 99.0 W 80 W 56000 mW

输入电容 - 760 pF 208 pF

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

热阻 - 62.5 ℃/W 62.5 ℃/W

反向恢复时间 60 ns 37 ns 23 ns

额定功率(Max) 99 W 80 W 56 W

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 80000 mW 56000 mW

额定电压(DC) - 600 V -

额定电流 - 25.0 A -

针脚数 - 3 -

极性 N-Channel N-Channel -

上升时间 15.0 ns 8.5 ns -

产品系列 IRGB4060D - -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

长度 - 10.4 mm -

宽度 - 4.6 mm -

高度 - 9.15 mm -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99

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