IRFB3077PBF和IRFZ14PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFB3077PBF IRFZ14PBF STP210N75F6

描述 N沟道,75V,210A,3.3mΩ@10V功率MOSFET Power MOSFETSTMICROELECTRONICS  STP210N75F6  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 0.003 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 75.0 V 60.0 V -

额定电流 210 A 10.0 A -

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 3.3 mΩ 0.2 Ω 0.003 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 370 W 43 W 300 W

阈值电压 4 V 2 V 2 V

漏源极电压(Vds) 75 V 60 V 75 V

漏源击穿电压 75 V 60.0 V -

连续漏极电流(Ids) 210 A 10.0 A 120A

上升时间 87.0 ns 50 ns 70 ns

输入电容(Ciss) 9400pF @50V(Vds) 300pF @25V(Vds) 11800pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 370 W 43 W 300 W

下降时间 - 19 ns 71 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 43 W 300W (Tc)

产品系列 IRFB3077 - -

长度 10.67 mm 10.41 mm 10.4 mm

宽度 - 4.7 mm 4.6 mm

高度 - 9.01 mm 15.75 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Rail, Tube Tube Tube

最小包装 - 50 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17 - 2015/12/17

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