MTD2955VT4和MTD2955VT4G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MTD2955VT4 MTD2955VT4G MTD2955V-1

描述 功率MOSFET的12A , 60V P沟道DPAK Power MOSFET 12A, 60V P-Channel DPAK功率MOSFET的12A , 60V P沟道DPAK Power MOSFET 12A, 60V P-Channel DPAK功率MOSFET的12A , 60V P沟道DPAK Power MOSFET 12A, 60V P-Channel DPAK

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管

基础参数对比

封装 TO-252-3 DPAK-252 CASE 369D-01

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 3 -

封装 TO-252-3 DPAK-252 CASE 369D-01

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - -

额定电压(DC) -60.0 V - -

额定电流 -12.0 A - -

耗散功率 60W (Tc) - -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V -

连续漏极电流(Ids) 12.0 A 12A -

上升时间 50 ns 50 ns -

输入电容(Ciss) 770pF @25V(Vds) 550pF @25V(Vds) -

下降时间 39 ns 39 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 60W (Tc) 60000 mW -

极性 - P-CH -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -

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