FDN5618P和FDN5618P_NL

对比图

型号 FDN5618P FDN5618P_NL

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDN5618P  晶体管, MOSFET, P沟道, -1.25 A, -60 V, 170 mohm, -10 V, 20 V60V P-Channel PowerTrench Specified MOSFET

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管

安装方式 Surface Mount -

引脚数 3 -

封装 SOT-23-3 SuperSOT

额定电压(DC) -60.0 V -

额定电流 -1.25 A -

针脚数 3 -

漏源极电阻 170 mΩ -

极性 P-Channel P-CH

耗散功率 500 mW -

阈值电压 20 V -

输入电容 430 pF -

栅电荷 8.60 nC -

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V

漏源击穿电压 -200 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) 1.20 A 1.25A

上升时间 8 ns -

输入电容(Ciss) 430pF @30V(Vds) -

额定功率(Max) 460 mW -

下降时间 4 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -

耗散功率(Max) 500mW (Ta) -

长度 2.92 mm -

宽度 1.4 mm -

高度 0.94 mm -

封装 SOT-23-3 SuperSOT

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99