对比图
型号 MC100EP11D MC100EP11DR2G SY100EL11VZG
描述 评估板手册高频SOIC 8 Evaluation Board Manual for High Frequency SOIC 8ON SEMICONDUCTOR MC100EP11DR2G 芯片, 缓冲器, ECL 1:2 差分扇出SY100EL11V 系列 5 V/3.3 V 高带宽 1:2 差分 扇出缓冲器-SOIC-8
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Microchip (微芯)
分类 时钟缓冲器、驱动器、锁相环时钟缓冲器、驱动器、锁相环时钟缓冲器、驱动器、锁相环
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 3.00V (min) -
输出接口数 4 2 2
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃
电路数 - 1 1
电源电压 - 3V ~ 5.5V 3V ~ 5.5V
频率 - 3 GHz -
无卤素状态 - Halogen Free -
供电电流 - 35.0 mA -
针脚数 - 8 -
最大占空比 - 50 % -
电源电压(Max) - 5.5 V -
电源电压(Min) - 3 V -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
高度 - 1.5 mm -
产品生命周期 Unknown Active Unknown
包装方式 Tube Cut Tape (CT) Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
工作温度 - -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃