IRF640NSTRRPBF和IRF640STRRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF640NSTRRPBF IRF640STRRPBF IRF640SPBF

描述 Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R功率MOSFET Power MOSFET功率MOSFET Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) VISHAY (威世) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) 200 V - -

额定电流 18.0 A - -

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 150 W 3.1 W 130 W

产品系列 IRF640NS - -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 110 A, 18.0 A 18.0 A 18.0 A

上升时间 19.0 ns 51 ns 51 ns

输入电容(Ciss) 1160pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 150 W - 130 W

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - 180 mΩ 0.18 Ω

阈值电压 - - 4 V

下降时间 - 36 ns 36 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 3.1W (Ta), 130W (Tc) 130 W

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 - - 10.67 mm

宽度 - - 9.65 mm

高度 - - 4.83 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

最小包装 - 2000 2000

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

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