对比图
型号 SI7655ADN-T1-GE3 SI7655DN-T1-GE3
描述 VISHAY SI7655ADN-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -40 A, -20 V, 0.003 ohm, -10 VVISHAY SI7655DN-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -40 A, -20 V, 0.003 ohm, -10 V, -500 mV
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 - Surface Mount
引脚数 8 8
封装 PowerPAK-1212-8 PowerPAK-1212-8
针脚数 8 8
漏源极电阻 0.003 Ω 0.003 Ω
极性 P-Channel P-Channel
耗散功率 57 W 57 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 4800 mW 57 W
输入电容(Ciss) 6600pF @10V(Vds) -
长度 - 3.3 mm
宽度 - 3.3 mm
高度 0.78 mm 0.78 mm
封装 PowerPAK-1212-8 PowerPAK-1212-8
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15