BSH108和BSH108,215

对比图

型号 BSH108 BSH108,215 BSH108T/R

描述 BSH108 N沟道MOSFET 30V 1.9A SOT-23/SC-59 marking/标记 WK2 低噪声增益控制放大器NXP  BSH108,215  晶体管, MOSFET, N沟道, 1.9 A, 30 V, 0.077 ohm, 10 V, 1.5 VTRANSISTOR 1900 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-236AB, FET General Purpose Small Signal

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管

封装 SOT-23 SOT-23-3 -

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 3 -

极性 N-CH N-Channel -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V -

连续漏极电流(Ids) 1.9A 1.90 A -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.077 Ω -

耗散功率 - 830 mW -

阈值电压 - 1.5 V -

上升时间 - 8 ns -

输入电容(Ciss) - 190pF @10V(Vds) -

额定功率(Max) - 830 mW -

下降时间 - 26 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 830mW (Tc) -

封装 SOT-23 SOT-23-3 -

长度 - 3 mm -

宽度 - 1.4 mm -

高度 - 1 mm -

产品生命周期 Unknown Active Unknown

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ) -