FQD19N10LTF和FQD19N10LTM

对比图

型号 FQD19N10LTF FQD19N10LTM

描述 N沟道 100V 15.6AFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD19N10LTM  晶体管, MOSFET, N沟道, 15.6 A, 100 V, 0.074 ohm, 10 V, 2 V

数据手册 --

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3

封装 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 100 V 100 V

额定电流 15.6 A 15.6 A

通道数 - 1

针脚数 - 3

漏源极电阻 100 mΩ 0.074 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5W (Ta), 50W (Tc) 50 W

阈值电压 - 2 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 15.6 A 15.6 A

上升时间 - 410 ns

输入电容(Ciss) 870pF @25V(Vds) 870pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W

下降时间 - 140 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 50W (Tc) 2.5 W

长度 - 6.6 mm

宽度 - 6.1 mm

高度 - 2.3 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99