对比图
型号 JANTX2N3439UA JANTXV2N3439UA JAN2N3439
描述 UA NPN 350V 1AUA NPN 350V 1A此系列高频，外延平面型晶体管具有低饱和电压。 This family of high-frequency, epitaxial planar transistors feature low saturation voltage.
数据手册 ---
制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole
引脚数 4 4 3
封装 SMD-4 SMD-4 TO-39-3
极性 NPN NPN -
击穿电压(集电极-发射极) 350 V 350 V 350 V
集电极最大允许电流 1A 1A -
最小电流放大倍数(hFE) 40 @20mA, 10V 40 @20mA, 10V 40 @20mA, 10V
额定功率(Max) 800 mW 800 mW 800 mW
工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 200 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 800 mW 800 mW 800 mW
频率 - - 40 MHz
耗散功率 - - 800 mW
最大电流放大倍数(hFE) - - 160 @20mA, 10V
封装 SMD-4 SMD-4 TO-39-3
材质 Silicon Silicon Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Bulk Bulk Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead Contains Lead
ECCN代码 - - EAR99