对比图
型号 FQB33N10LTM STD18N55M5 STB40NF10LT4
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB33N10LTM 晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 100 V, 0.039 ohm, 10 V, 2 VSTMICROELECTRONICS STD18N55M5 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STB40NF10LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 100 V, 0.028 ohm, 10 V, 1.7 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3
额定电压(DC) 100 V - 100 V
额定电流 33.0 A - 40.0 A
通道数 1 1 -
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.039 Ω 0.18 Ω 0.028 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 127 W 90 W 150 W
阈值电压 2 V 4 V 1.7 V
漏源极电压(Vds) 100 V 550 V 100 V
漏源击穿电压 100 V 550 V 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V - ±15.0 V
连续漏极电流(Ids) 33.0 A 16A 40.0 A
上升时间 470 ns 9.5 ns 82 ns
输入电容(Ciss) 1630pF @25V(Vds) 1260pF @100V(Vds) 2300pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 3.75 W 90 W 150 W
下降时间 120 ns 13 ns 24 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃
耗散功率(Max) 3.75 W 110W (Tc) 150W (Tc)
长度 10.67 mm 6.6 mm 10.4 mm
宽度 9.65 mm 6.2 mm 9.35 mm
高度 4.83 mm 2.4 mm 4.6 mm
封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) 150℃ (TJ) -65℃ ~ 175℃
材质 - Silicon -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 - -