对比图
型号 2N5153LEADFREE JAN2N5153 2N5153
描述 TO-39 PNP 80V 5APNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTORSmall Signal Transistors TO-39 Case
数据手册 ---
制造商 Central Semiconductor Microsemi (美高森美) Central Semiconductor
分类 双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole -
引脚数 - 3 -
封装 TO-39 TO-39 TO-39
耗散功率 - 1 W -
击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V -
最小电流放大倍数(hFE) - 70 @2.5A, 5V -
额定功率(Max) - 1 W -
工作温度(Max) - 200 ℃ -
工作温度(Min) - -65 ℃ -
耗散功率(Max) - 1000 mW -
极性 PNP - -
集电极最大允许电流 5A - -
封装 TO-39 TO-39 TO-39
材质 - Silicon -
工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 - Bag -
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant -
含铅标准 - -