2N5153LEADFREE和JAN2N5153

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 2N5153LEADFREE JAN2N5153 2N5153

描述 TO-39 PNP 80V 5APNP功率硅晶体管 PNP POWER SILICON TRANSISTORSmall Signal Transistors TO-39 Case

数据手册 ---

制造商 Central Semiconductor Microsemi (美高森美) Central Semiconductor

分类 双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 - 3 -

封装 TO-39 TO-39 TO-39

耗散功率 - 1 W -

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V -

最小电流放大倍数(hFE) - 70 @2.5A, 5V -

额定功率(Max) - 1 W -

工作温度(Max) - 200 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

耗散功率(Max) - 1000 mW -

极性 PNP - -

集电极最大允许电流 5A - -

封装 TO-39 TO-39 TO-39

材质 - Silicon -

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Bag -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant -

含铅标准 - -

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