对比图
型号 NVD5117PLT4G SUD50P06-15-GE3
描述 ON SEMICONDUCTOR NVD5117PLT4G 场效应管, MOSFET, P沟道, -60V, 0.016Ω, -61A, TO-252-3P通道60 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 60-V (D-S) MOSFET
数据手册 --
制造商 ON Semiconductor (安森美) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3
通道数 1 -
针脚数 3 3
漏源极电阻 0.016 Ω 0.012 Ω
极性 P-Channel P-Channel
耗散功率 118 W 2.5 W
阈值电压 1.5 V 3 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 11A -50.0 A
上升时间 195 ns 70 ns
输入电容(Ciss) 4800pF @25V(Vds) 4950pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 4.1 W 113 W
下降时间 132 ns 175 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 4.1W (Ta), 118W (Tc) 2500 mW
封装 TO-252-3 TO-252-3
长度 - 6.73 mm
宽度 - 6.22 mm
高度 - 2.38 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
最小包装 - 2000
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 -