对比图
型号 CY7C1425KV18-250BZI CY7C1425KV18-250BZXI
描述 36兆位QDR® II SRAM双字突发架构 36-Mbit QDR® II SRAM Two-Word Burst Architecture36兆位QDR® II SRAM双字突发架构 36-Mbit QDR® II SRAM Two-Word Burst Architecture
数据手册 --
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 存储芯片存储芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 165 165
封装 FBGA-165 LBGA-165
供电电流 590 mA -
时钟频率 250 MHz -
位数 9 9
存取时间 0.45 ns -
存取时间(Max) 0.45 ns 0.45 ns
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃
电源电压 1.7V ~ 1.9V 1.7V ~ 1.9V
高度 0.89 mm 0.89 mm
封装 FBGA-165 LBGA-165
工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)
产品生命周期 Unknown Unknown
包装方式 Tray Tray
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 3A991.b.2.a 3A991