对比图
型号 IRF7493PBF SI4110DY-T1-GE3 IRF7493TRPBF
描述 INFINEON IRF7493PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 9.3 A, 80 V, 15 mohm, 10 V, 4 VVISHAY SI4110DY-T1-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 80V, 17.3A, SOIC-8HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.015 Ω 0.0108 Ω 0.0115 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 7.8 W 2.5 W
阈值电压 4 V 2 V 4 V
漏源极电压(Vds) 80 V 80 V 80 V
连续漏极电流(Ids) 9.3A 17.3 A 9.3A
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
额定功率 2.5 W - 2.5 W
通道数 1 - -
漏源击穿电压 80 V - -
上升时间 7.5 ns - 7.5 ns
输入电容(Ciss) 1510pF @25V(Vds) - 1510pF @25V(Vds)
下降时间 12 ns - 12 ns
工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Tc) - 2.5W (Tc)
输入电容 - - 1510 pF
额定功率(Max) - - 2.5 W
封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8
长度 5 mm - 5 mm
宽度 4 mm - 4 mm
高度 1.5 mm - 1.5 mm
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Not Recommended for New Designs - Active
包装方式 Tube - Tape & Reel (TR)
ECCN代码 - - EAR99