IRGS4640DPBF和IRGS4640DTRLPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRGS4640DPBF IRGS4640DTRLPBF IRGS4640DTRRPBF

描述 IGBT 晶体管 IGBT DISCRETESTrans IGBT Chip N-CH 600V 65A 250000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RTrans IGBT Chip N-CH 600V 65A 250000mW 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

耗散功率 250000 mW 250000 mW 250000 mW

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

反向恢复时间 89 ns 89 ns 89 ns

额定功率(Max) 250 W 250 W 250 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 250000 mW 250000 mW 250000 mW

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 10.31 mm - -

宽度 9.45 mm - -

高度 4.57 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

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