对比图
型号 IRF7204PBF MMSF3P02HDR2 IRF7204
描述 P 通道功率 MOSFET 最大 7A，InfineonInfineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。功率MOSFET 3安培， 20伏P沟道SO- 8 Power MOSFET 3 Amps, 20 Volts P−Channel SO−8SOIC P-CH 20V 5.3A
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) - -20.0 V -20.0 V
额定电流 - -3.00 A -5.30 A
通道数 1 1 -
漏源极电阻 0.06 Ω 75 mΩ -
极性 P-Channel P-Channel P-CH
耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5W (Tc)
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
漏源击穿电压 - 20 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 5.3A 5.60 A 5.30 A
上升时间 26 ns 135 ns 26.0 ns
输入电容(Ciss) 860pF @10V(Vds) 1400pF @16V(Vds) 860pF @10V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -
耗散功率(Max) 2.5W (Tc) 2.5W (Ta) 2.5W (Tc)
额定功率 2.5 W - -
针脚数 8 - -
阈值电压 2.5 V - -
热阻 50℃/W (RθJC) - -
下降时间 68 ns - -
产品系列 - - IRF7204
长度 5 mm 5 mm -
宽度 4 mm 4 mm -
高度 1.5 mm 1.5 mm -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Unknown Active
包装方式 Tube Cut Tape (CT) Tape
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Contains Lead Contains Lead
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 - EAR99 -