BTS110和BTS120

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BTS110 BTS120 BUK100-50GL,127

描述 TEMPFET (N沟道增强型温度传感器晶闸管特性) TEMPFET(N-channel Enhancement mode Temperature sensor with thyristor characteristic)TEMPFET (N沟道增强型温度传感器晶闸管特性) TEMPFET(N channel Enhancement mode Temperature sensor with thyristor characteristic)TO-220AB N-CH 50V 13.5A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)

分类 MOS管FET驱动器

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 3 - 3

封装 TO-220-3 - TO-220-3

额定电压(DC) 100 V - -

额定电流 10.0 A - -

耗散功率 40 W - -

输入电容 600 pF - -

漏源极电压(Vds) 100 V - 50 V

连续漏极电流(Ids) 10.0 A - 13.5A

上升时间 45 ns - -

输入电容(Ciss) 600pF @25V(Vds) - -

额定功率(Max) 40 W - -

下降时间 55 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 40000 mW - 40000 mW

输出接口数 - - 1

极性 - - N-CH

输出电流(Max) - - 13.5 A

长度 10 mm - -

宽度 4.4 mm - -

高度 15.65 mm - -

封装 TO-220-3 - TO-220-3

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tube - Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead - Lead Free

工作温度 - - 150℃ (TJ)

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