对比图
型号 BQ2201SN-N BQ2201SN-NG4 BQ2201PN
描述 SRAM 非易失控制器，Texas InstrumentsSRAM 非易失控制器提供将标准 CMOS SRAM 转换为非易失性读/写存储器的所有必要功能。### 电池管理，Texas InstrumentsNonvolatile Controller 4.5V to 5.5V 8Pin SOIC TubeSRAM控制单元
数据手册 ---
制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)
分类 存储芯片电源监控芯片电源监控芯片
安装方式 Surface Mount - Through Hole
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 PDIP-8
电源电压(DC) 5.00 V 5.00 V 5.00 V
输出电流 0.16 A 0.16 A 0.16 A
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 0 ℃
电源电压 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V 4.5V ~ 5.5V
电源电压(Max) 5.5 V - 5.5 V
电源电压(Min) 4.5 V - 4.5 V
工作电压 - 5.00 V -
封装 SOIC-8 SOIC-8 PDIP-8
长度 4.9 mm - -
宽度 3.91 mm - -
高度 1.58 mm 1.5 mm -
工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 EAR99 - -