对比图
型号 IRF7319TRPBF FDS8958A_F085 IRF7319PBF
描述 INFINEON IRF7319TRPBF 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.5 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 1 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8958A_F085 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 7 A, 30 V, 0.019 ohm, 10 V, 1.9 VINTERNATIONAL RECTIFIER IRF7319PBF 双路场效应管, N/P通道, MOSFET, 30V, SOIC 新
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电流 - - 6.50 A
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.023 Ω 0.019 Ω 29 mΩ
极性 N+P N-Channel, P-Channel N-Channel, P-Channel
耗散功率 2 W 2 W 2 W
产品系列 - - IRF7319
阈值电压 1 V 1.9 V 1 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 - - 30.0 V
连续漏极电流(Ids) 6.5A/4.9A 7A/5A 6.50 A
上升时间 - - 13.0 ns
输入电容(Ciss) 650pF @25V(Vds) 575pF @15V(Vds) 650pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2 W 900 mW 2 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
工作结温(Max) - - 150 ℃
额定功率 2 W - -
耗散功率(Max) 2 W 2 W -
长度 5 mm 4.9 mm 5 mm
高度 1.5 mm 1.575 mm 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
宽度 4 mm 3.9 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/06/15 2014/12/17