BD239C和BD243CG

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD239C BD243CG TIP29CG

描述 中功率线性和开关应用 Medium Power Linear and Switching ApplicationsNPN 功率晶体管,ON Semiconductor### 标准带 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格,符合 AEC-Q101 标准。### 双极性晶体管,On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管,包括以下类别:小信号晶体管 功率晶体管 双晶体管 复合晶体管对 高电压晶体管 射频晶体管 双极/FET 晶体管ON SEMICONDUCTOR  TIP29CG.  射频双极晶体管

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

频率 - 3 MHz 3 MHz

额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V

额定电流 2.00 A 6.00 A 1.00 A

针脚数 - 3 3

极性 - NPN NPN

耗散功率 30 W 65 W 30 W

击穿电压(集电极-发射极) 100 V 100 V 100 V

最小电流放大倍数(hFE) 15 @1A, 4V 15 @3A, 4V 15 @1A, 4V

额定功率(Max) 30 W 65 W 2 W

直流电流增益(hFE) - 30 75

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 30000 mW 65000 mW 30 W

热阻 - - 4.167℃/W (RθJC)

集电极最大允许电流 - - 1A

长度 - 10.28 mm 10.28 mm

宽度 - 4.82 mm 4.82 mm

高度 - 15.75 mm 15.75 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

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