对比图
型号 BC637 BC637G BC637_D27Z
描述 高电流晶体管 High Current Transistors高电流晶体管 High Current TransistorsTrans GP BJT NPN 60V 1A 3Pin TO-92 T/R
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-92-3
引脚数 3 3 -
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V
额定电流 1.00 A 1.00 A 1.00 A
极性 - NPN NPN
耗散功率 - 0.625 W 1 W
增益频宽积 - - 100 MHz
击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V
集电极最大允许电流 - 1A 1A
最小电流放大倍数(hFE) 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V 40 @150mA, 2V
最大电流放大倍数(hFE) - - 160
额定功率(Max) 625 mW 625 mW 1 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 65 ℃
频率 - 200 MHz -
耗散功率(Max) 1000 mW 625 mW -
长度 - - 5.2 mm
宽度 - - 4.19 mm
高度 - - 5.33 mm
封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-92-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)
材质 Silicon Silicon -
产品生命周期 Unknown Active Unknown
包装方式 Box Bulk Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
ECCN代码 - EAR99 EAR99