对比图
型号 IRFR024N STD12NF06T4 IRFR024PBF
描述 Trans MOSFET N-CH Si 55V 17A 3Pin(2+Tab) DPAKSTMICROELECTRONICS STD12NF06T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.08 ohm, 10 V, 3 V功率MOSFET Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世)
分类 N沟道MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 3 3
封装 DPAK-252 TO-252-3 TO-252-3
额定功率 - - 42 W
漏源极电阻 75.0 mΩ (max) 80 mΩ 100 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 45 W 30 W 2.5 W
漏源极电压(Vds) 55.0 V 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 17.0 A 12.0 A 14.0 A
上升时间 34.0 ns 18 ns 58 ns
输入电容(Ciss) - 315pF @25V(Vds) 640pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 30 W 2.5 W
下降时间 - 6 ns 42 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 30W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc)
额定电压(DC) 55.0 V 60.0 V -
额定电流 17.0 A 12.0 A -
针脚数 - 3 -
阈值电压 - 3 V -
输入电容 - 315 pF -
漏源击穿电压 55.0V (min) 60.0 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
产品系列 IRFR024N - -
长度 - 6.6 mm 6.73 mm
宽度 - 6.2 mm 6.22 mm
高度 - 2.4 mm 2.38 mm
封装 DPAK-252 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Active Active
最小包装 - - 2000
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 -